ON Semiconductor NTH4L040N65S3F

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-4

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

446W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

FRFET®, SuperFET® III

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T4

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 32.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5940pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

158nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

65A

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

162.5A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

1009 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant