ON Semiconductor NTHD2110TT1G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1.1W Ta

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

850mV @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 6.4A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1072pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

4.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

达到SVHC

unknown

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅