ON Semiconductor NTHD3101FT1

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

-20 V

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

16 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Package Code

CASE 1206A-03

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTHD3101FT1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.37

Drain Current-Max (ID)

3.2 A

包装

卷带

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-4.4 A

引脚数量

8

JESD-30代码

R-XDSO-C8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1 W

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

11.7 ns

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

-4.4 A

栅极至源极电压(Vgs)

8 V

漏极-源极导通最大电阻

0.08 Ω

漏源击穿电压

-20 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

13 A

输入电容

680 pF

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

64 mΩ

无铅

含铅