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'nthd4p02ft1'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料											厂商																	Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id		操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	电阻	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	电压 - 额定直流	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	配置	操作模式	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	上升时间	漏源电压 (Vdss)	极性/通道类型	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	场效应管特性
NTHD4P02FT1	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	8	SILICON	OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)	Compliant	33 ns	Bulk	NTHD4P	Obsolete	CASE 1206A-03, CHIPFET-8	小概要	未说明	onsemi	UNSPECIFIED	CASE 1206A-03	30	无	NTHD4P02FT1	RECTANGULAR	Rochester Electronics LLC	1	活跃	ROCHESTER ELECTRONICS LLC	5.21	2.2 A						-20 V		卷带		-	e0	有	Obsolete (Last Updated: 2 years ago)				锡铅	150 °C	-55 °C			DUAL	C 弯管	240	-3 A			R-XDSO-C8	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	1.1 W	SWITCHING			13 ns			P-CHANNEL	-3 A	12 V	0.155 Ω	-20 V	9 A	300 pF	20 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	200 mΩ	unknown	含铅
NTHD4P02FT1	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	SILICON				1										e0	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8		锡铅					DUAL	C 弯管	240		30	8	R-XDSO-C8	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET				SWITCHING							P-CHANNEL				2.2A	0.155Ohm		9A		20V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR			Non-RoHS Compliant
NTHD4P02FT1G	AMI Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SMD, Flat Lead	ChipFET™						Lead free / RoHS Compliant	2.2A (Tj)	NTHD4P02FT1GOSCT	2.5V, 4.5V	1.1W (Tj)	1.2V @ 250µA		-55°C ~ 150°C (TJ)	Cut Tape (CT)		-				1 (Unlimited)							MOSFET (Metal Oxide)													P-Channel		155 mOhm @ 2.2A, 4.5V	300pF @ 10V	6nC @ 4.5V		20V	±12V										Schottky Diode (Isolated)
NTHD4P02FT1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	8-SMD, Flat Lead	YES	8	SILICON	33 ns			2.2A Tj	2.5V 4.5V	1		1.2V @ 250μA	1.1W Tj	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2004		e3	yes	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)	1 (Unlimited)	8	130MOhm	Tin (Sn)			-20V		DUAL	C 弯管	260	-3A	40				SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	1.1W	7 ns	P-Channel	SWITCHING	155m Ω @ 2.2A, 4.5V	300pF @ 10V	6nC @ 4.5V	13ns	20V	±12V		13 ns	-2.2A	12V			-20V	9A		Schottky Diode (Isolated)	无		ROHS3 Compliant	无铅