ON Semiconductor NTHD4P02FT1

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

-20 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

33 ns

Package

Bulk

Base Product Number

NTHD4P

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

CASE 1206A-03, CHIPFET-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Package Code

CASE 1206A-03

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTHD4P02FT1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

2.2 A

包装

卷带

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

有

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

额定电流

-3 A

引脚数量

8

JESD-30代码

R-XDSO-C8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1 W

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

13 ns

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

-3 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

漏极-源极导通最大电阻

0.155 Ω

漏源击穿电压

-20 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9 A

输入电容

300 pF

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

200 mΩ

无铅

含铅