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1

￥136.588926
10

￥128.85748
100

￥121.563655
500

￥114.682694
1000

￥108.191222

ON Semiconductor NTHL022N120M3S

Name: NTHL022N120M3S
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NTHL022N120M3S
Price: 136.59 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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型号

NTHL022N120M3S

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NTHL022N120M3S

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

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NTHL022N120M3S ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

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NTHL022N120M3S详情

技术参数

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ON Semiconductor NTHL022N120M3S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-247-3
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4.4 V
Pd - Power Dissipation

352 W
Transistor Polarity

N-Channel
Maximum Operating Temperature

+ 175 C
Vgs - Gate-Source Voltage

- 10 V, + 22 V
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Mounting Styles

通孔
Channel Mode

Enhancement
Qg - Gate Charge

139 nC
Rds On - Drain-Source Resistance

30 mOhms
Id - Continuous Drain Current

68 A
技术

Si
通道数量

1 Channel

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NTHL022N120M3S拓展信息

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