ON Semiconductor NTHS4501NT1G
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NTHS4501NT1G
1807-NTHS4501NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SMD, Flat Lead
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MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
--最小包装量--
NTHS4501NT1G详情
ON Semiconductor NTHS4501NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 16 hours ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.3W Ta
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
4.9A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.3W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
38m Ω @ 4.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
462pF @ 24V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.1nC @ 10V
上升时间
11ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
6.7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NTHS4501NT1G拓展信息
ON Semiconductor
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