ON Semiconductor NTJS3151PT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

19 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW Ta

Turn Off Delay Time

3.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

45mOhm

电压 - 额定直流

-12V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3.3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625mW

接通延迟时间

860 ps

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 3.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

850pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.6nC @ 4.5V

上升时间

1.5ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

1.5 ns

连续放电电流(ID)

3.3A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.7A

漏源击穿电压

-12V

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅