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'ntjs4405n'

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category.单MOSFET晶体管 (6)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	晶体管元件材料						Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	电压 - 额定直流	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	DS 击穿电压-最小值	反馈上限-最大值 (Crss)	高度	长度	宽度	辐射硬化	达到SVHC	RoHS状态	无铅
		NTJS4405NT1	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	表面贴装	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		6	SILICON	1A Ta	2.7V 4.5V	1	630mW Ta	25 ns	1.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2006	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	6	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	25V	DUAL	鸥翼	240	1A	30	R-PDSO-G6	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET	630mW		N-Channel	SWITCHING	350m Ω @ 600mA, 4.5V	60pF @ 10V	1.5nC @ 4.5V	4.7ns		±8V	4.7 ns	1A	8V	1A	0.35Ohm	25V		12 pF					not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
		NTJS4405NT4	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	表面贴装	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		6	SILICON	1A Ta	2.7V 4.5V	1	630mW Ta	25 ns	1.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2006	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	6	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	25V	DUAL	鸥翼	240	1A	30	R-PDSO-G6	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET	630mW		N-Channel	SWITCHING	350m Ω @ 600mA, 4.5V	60pF @ 10V	1.5nC @ 4.5V	4.7ns		±8V	4.7 ns	1A	8V	1A	0.35Ohm	25V		12 pF					not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
		NTJS4405NT1	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	YES	6	SILICON	1A Ta	2.7V 4.5V	1	630mW Ta		1.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		e0	no	Obsolete	1 (Unlimited)	6		锡铅		DUAL	鸥翼	240		30	R-PDSO-G6	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET			N-Channel	SWITCHING	350m Ω @ 600mA, 4.5V	60pF @ 10V	1.5nC @ 4.5V		25V	±8V				1A	0.35Ohm		25V	12 pF						Non-RoHS Compliant
		NTJS4405NT4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	表面贴装	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		6	SILICON	1A Ta	2.7V 4.5V	25 ns	1	630mW Ta	1.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2006	e3		Obsolete	1 (Unlimited)	6	EAR99	Tin (Sn)	25V	DUAL	鸥翼	260	1A	40	R-PDSO-G6	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET	630mW		N-Channel	SWITCHING	350m Ω @ 600mA, 4.5V	60pF @ 10V	1.5nC @ 4.5V	4.7ns		±8V	4.7 ns	1A	8V	1A	0.35Ohm	25V		12 pF						符合RoHS标准	无铅
		NTJS4405NT4G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	YES	6	SILICON	1A Ta	2.7V 4.5V	1	630mW Ta		1.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	6		哑光锡		DUAL	鸥翼	260		40	R-PDSO-G6	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET			N-Channel	SWITCHING	350m Ω @ 600mA, 4.5V	60pF @ 10V	1.5nC @ 4.5V		25V	±8V				1A	0.35Ohm		25V	12 pF						ROHS3 Compliant
		NTJS4405NT1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		2 Weeks		表面贴装	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	YES	6	SILICON	1A Ta	2.7V 4.5V	1	630mW Ta	25 ns	1.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2006	e3	yes	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	1 (Unlimited)	6	EAR99	Tin (Sn)	25V	DUAL	鸥翼	260	1.2A	40				Single	增强型MOSFET	630mW	6 ns	N-Channel	SWITCHING	350m Ω @ 600mA, 4.5V	60pF @ 10V	1.5nC @ 4.5V	4.7ns		±8V	4.7 ns	1.2A	8V	1A	0.35Ohm	25V			1mm	2.2mm	1.35mm	无		ROHS3 Compliant	无铅