ON Semiconductor NTJS4405NT4G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

630mW Ta

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

25V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

630mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 600mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.5nC @ 4.5V

上升时间

4.7ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

4.7 ns

连续放电电流(ID)

1A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏极-源极导通最大电阻

0.35Ohm

漏源击穿电压

25V

反馈上限-最大值 (Crss)

12 pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅