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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 电阻 | 端子表面处理 | HTS代码 | 最大功率耗散 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 下降时间（典型值） | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 场效应管特性 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTLGD3502NT2G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 Weeks | LIFETIME (Last Updated: 1 day ago) | 表面贴装 | 6-VDFN Exposed Pad | YES | 6 | SILICON | 4.3A 3.6A | 2 | 8.6 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | 60MOhm | Tin (Sn) | 8541.29.00.95 | 1.74W | 260 | 40 | NTLGD3502N | 6 | Dual | 增强型MOSFET | 1.74W | DRAIN | 7 ns | 2 N-Channel (Dual) | 60m Ω @ 4.3A, 4.5V | 2V @ 250μA | 480pF @ 10V | 4nC @ 4.5V | 17.5ns | 17.5 ns | 5.8A | 20V | 4.3A | 20V | 17.2A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||
| NTLGD3502NT1G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago) | 表面贴装 | 6-VDFN Exposed Pad | YES | 6 | SILICON | 4.3A 3.6A | 2 | 8.6 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | Tin (Sn) | 8541.29.00.95 | 1.74W | 无铅 | 260 | 40 | NTLGD3502N | 6 | 不合格 | Dual | 增强型MOSFET | 1.74W | DRAIN | 2 N-Channel (Dual) | 60m Ω @ 4.3A, 4.5V | 2V @ 250μA | 480pF @ 10V | 4nC @ 4.5V | 17.5ns | 17.5 ns | 3.6A | 20V | 4.3A | 20V | 17.2A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||
| NTLGD3502NT1G | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-VDFN Exposed Pad | YES | SILICON | 4.3A 3.6A | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | e3 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | 哑光锡 | 无铅 | 260 | 40 | 6 | S-PDSO-N6 | COMMERCIAL | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | 1.74W | 2 N-Channel (Dual) | 60m Ω @ 4.3A, 4.5V | 2V @ 250μA | 480pF @ 10V | 4nC @ 4.5V | 20V | 4.3A | 0.06Ohm | 17.2A | 20V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant |
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