ON Semiconductor NTLUS3A40PZTAG
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NTLUS3A40PZTAG
1807-NTLUS3A40PZTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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IGBT Transistors T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL
--最小包装量--
NTLUS3A40PZTAG详情
ON Semiconductor NTLUS3A40PZTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
700mW Ta
Turn Off Delay Time
126 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
µCool™
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
引脚数量
6
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.7W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
29m Ω @ 6.4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2600pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 4.5V
上升时间
18ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
71 ns
连续放电电流(ID)
6.4A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏极-源极导通最大电阻
0.029Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
高度
500μm
长度
2mm
宽度
2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTLUS3A40PZTAG拓展信息
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