ON Semiconductor NTMD3N08LR2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

NTMD3N

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

MINIATURE, CASE 751-07, SOIC-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 751-07

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTMD3N08LR2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

2.3 A

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

3.1W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

215mOhm @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

480pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

80V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.215 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

25 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

25 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门