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'ntmd3n08lr2'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

端子表面处理

附加功能

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

功率 - 最大

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

极性/通道类型

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

场效应管技术

场效应管特性

达到SVHC

RoHS状态

NTMD3N08LR2

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

YES

SILICON

2.3A

1

Tape & Reel (TR)

e0

no

Obsolete

1 (Unlimited)

8

锡铅

ULTRA-LOW RESISTANCE

鸥翼

240

30

8

R-PDSO-G8

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

3.1W

2 N-Channel (Dual)

SWITCHING

215m Ω @ 2.5A, 10V

3V @ 250μA

480pF @ 25V

15nC @ 10V

80V

2.3A

0.215Ohm

25A

80V

25 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

Non-RoHS Compliant

NTMD3N08LR2

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

YES

8

8-SOIC

8

SILICON

Bulk

NTMD3N

2.3A

Obsolete

MINIATURE, CASE 751-07, SOIC-8

小概要

未说明

onsemi

PLASTIC/EPOXY

CASE 751-07

30

无

NTMD3N08LR2

RECTANGULAR

Rochester Electronics LLC

1

活跃

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

5.39

SOT

2.3 A

3V @ 250µA

-

e0

无

锡铅

ULTRA-LOW RESISTANCE

DUAL

鸥翼

240

R-PDSO-G8

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

3.1W

2 N-Channel (Dual)

SWITCHING

215mOhm @ 2.5A, 10V

480pF @ 25V

15nC @ 10V

80V

N-CHANNEL

0.215 Ω

25 A

80 V

25 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

unknown