ON Semiconductor NTMFS4708NT3G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

11.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.2W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 11.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

970pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 4.5V

上升时间

4.3ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

7.8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.01Ohm

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅