对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 电阻 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 栅源电压 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTMFS4833NT3G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | YES | 5 | SILICON | 16A Ta 156A Tc | 4.5V 10V | 1 | 910mW Ta 125W Tc | 35 ns | 2.5V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | yes | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | Tin (Sn) | DUAL | FLAT | 260 | 40 | Single | 增强型MOSFET | 2.35W | DRAIN | 25 ns | N-Channel | SWITCHING | 2m Ω @ 30A, 10V | 5600pF @ 12V | 88nC @ 11.5V | 34ns | ±20V | 17 ns | 191A | 20V | 0.003Ohm | 30V | 288A | 1.5 V | 1.1mm | 5.1mm | 6.1mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||
NTMFS4833NT1G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | YES | 5 | SILICON | 16A Ta 156A Tc | 4.5V 10V | 1 | 50 ns | 910mW Ta 125W Tc | 2.5V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | 2MOhm | Tin (Sn) | DUAL | FLAT | 260 | 40 | Single | 增强型MOSFET | 2.35W | DRAIN | 25 ns | N-Channel | SWITCHING | 2m Ω @ 30A, 10V | 5600pF @ 12V | 88nC @ 11.5V | 34ns | ±20V | 17 ns | 191A | 1.5V | 20V | 30V | 288A | 1mm | 4.9mm | 5.8mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 |


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