ON Semiconductor NTMFS4833NT1G

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta 156A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

910mW Ta 125W Tc

已出版

2006

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

2MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.35W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5600pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

88nC @ 11.5V

上升时间

34ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

17 ns

连续放电电流(ID)

191A

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

288A

高度

1mm

长度

4.9mm

宽度

5.8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅