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'ntmfs4833nt'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

时间@峰值回流温度-最大值(s)

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

栅源电压

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NTMFS4833NT3G
NTMFS4833NT3G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

8-PowerTDFN, 5 Leads

YES

5

SILICON

16A Ta 156A Tc

4.5V 10V

1

910mW Ta 125W Tc

35 ns

2.5V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2006

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

1 (Unlimited)

5

EAR99

Tin (Sn)

DUAL

FLAT

260

40

Single

增强型MOSFET

2.35W

DRAIN

25 ns

N-Channel

SWITCHING

2m Ω @ 30A, 10V

5600pF @ 12V

88nC @ 11.5V

34ns

±20V

17 ns

191A

20V

0.003Ohm

30V

288A

1.5 V

1.1mm

5.1mm

6.1mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

NTMFS4833NT1G
NTMFS4833NT1G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

8-PowerTDFN, 5 Leads

YES

5

SILICON

16A Ta 156A Tc

4.5V 10V

1

50 ns

910mW Ta 125W Tc

2.5V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2006

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

5

EAR99

2MOhm

Tin (Sn)

DUAL

FLAT

260

40

Single

增强型MOSFET

2.35W

DRAIN

25 ns

N-Channel

SWITCHING

2m Ω @ 30A, 10V

5600pF @ 12V

88nC @ 11.5V

34ns

±20V

17 ns

191A

1.5V

20V

30V

288A

1mm

4.9mm

5.8mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅