ON Semiconductor NTMFS4845NT1G
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NTMFS4845NT1G
1807-NTMFS4845NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN, 5 Leads
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Trans MOSFET N-CH 30V 35.5A 8-Pin SO-FL T/R
--最小包装量--
NTMFS4845NT1G详情
ON Semiconductor NTMFS4845NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN, 5 Leads
表面安装
YES
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13.7A Ta 115A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
890mW Ta 62.5W Tc
Turn Off Delay Time
28.9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
5
最大输出电流
115A
最大电源电压
30V
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
5.95W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.9m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3720pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62nC @ 11.5V
上升时间
48.5ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
12.2 ns
连续放电电流(ID)
115A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏极-源极导通最大电阻
0.0044Ohm
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTMFS4845NT1G拓展信息
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