ON Semiconductor NTMFS4923NET3G

生命周期状态

CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12.7A Ta 91A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

930mW Ta 48W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

930mW

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4850pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

91A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.0048Ohm

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅