ON Semiconductor NTMFS4926NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

表面安装

YES

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Ta 44A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

920mW Ta 21.6W Tc

Turn Off Delay Time

14.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.7W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1004pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.3nC @ 10V

上升时间

36.9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.5 ns

连续放电电流(ID)

44A

阈值电压

1.6V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.012Ohm

漏源击穿电压

30V

栅源电压

1.6 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅