ON Semiconductor NTMFS4927NT1G

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

表面安装

YES

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

安装类型

表面贴装

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.9A Ta 38A Tc

Power Dissipation (Max)

920mW Ta 20.8W Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

14 ns

已出版

2011

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

20.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.3m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

913pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

上升时间

25.5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.4 ns

连续放电电流(ID)

38A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.9A

漏源击穿电压

30V

高度

1.1mm

宽度

6.1mm

长度

5.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅