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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.462935
10
¥6.09711
100
¥5.751989
500
¥5.426407
1000
¥5.11925
ON Semiconductor NTMFS4937NT3G
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- 对比
NTMFS4937NT3G
1807-NTMFS4937NT3G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN, 5 Leads
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MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTMFS4937NT3G详情
ON Semiconductor NTMFS4937NT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN, 5 Leads
表面安装
YES
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.2A Ta 70A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
920mW Ta 43W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2516pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
70A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.007Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
210A
DS 击穿电压-最小值
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTMFS4937NT3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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