ON Semiconductor NTMFS4985NFT1G

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17.5A Ta 65A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.63W Ta 22.73W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.4m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2100pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30.5nC @ 10V

上升时间

32ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

65A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅