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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.28923
10
¥7.820024
100
¥7.377383
500
¥6.959797
1000
¥6.565845
ON Semiconductor NTMFS4C35NT1G
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- 对比
NTMFS4C35NT1G
1807-NTMFS4C35NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin SO-8 FL T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTMFS4C35NT1G详情
ON Semiconductor NTMFS4C35NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
表面安装
YES
引脚数
5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
780mW Ta 33W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
引脚数量
5
通道数量
1
元素配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.2m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2300pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
12.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
80A
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTMFS4C35NT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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