ON Semiconductor NTMS4107NR2G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

930mW Ta

Turn Off Delay Time

94 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

16.7W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6000pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 4.5V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

38 ns

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11A

漏极-源极导通最大电阻

0.0045Ohm

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅