ON Semiconductor NTMS4801NR2G
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NTMS4801NR2G
1807-NTMS4801NR2G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET NFET SO8 30V 9.9A 12.5mOhm
--最小包装量--
NTMS4801NR2G详情
ON Semiconductor NTMS4801NR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
31 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
800mW Ta
Turn Off Delay Time
29 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
8
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.1W
接通延迟时间
10.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2201pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
3.7ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
9.8 ns
连续放电电流(ID)
9.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.009Ohm
漏源击穿电压
30V
栅源电压
2.5 V
反馈上限-最大值 (Crss)
225 pF
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTMS4801NR2G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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