ON Semiconductor NTMS4939NR2G

工厂交货时间

36 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW Ta

Turn Off Delay Time

36.7 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.35W

接通延迟时间

10.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.4m Ω @ 7.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

3.1ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

21.5 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

30V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅