对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 电压 - 额定直流 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 连续放电电流(ID) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||
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NTMS4P01R2 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | SILICON | 2.5V 4.5V | 1 | 790mW Ta | 3.4A Ta | 1.15V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2004 | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | -12V | DUAL | 鸥翼 | 240 | -4.5A | 30 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | P-Channel | SWITCHING | 45m Ω @ 4.5A, 4.5V | 1850pF @ 9.6V | 35nC @ 4.5V | 12V | ±10V | 3.4A | 2.32A | 0.045Ohm | 400 pF | not_compliant | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMS4P01R2G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 8 | SILICON | NTMS4P01R2G | 有 | 活跃 | ON SEMICONDUCTOR | SOT | CASE 751-07, SO-8 | CASE 751-07 | 5.4 | 3.4 A | 1 | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | EAR99 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | P-CHANNEL | 0.045 Ω | 12 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 400 pF |



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