ON Semiconductor NTMS5P02R2

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Product Status

Obsolete

厂商

onsemi

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.05A (Tj)

Base Product Number

NTMS5P

Package

Bulk

Package Description

MINIATURE, CASE 751-07, SOIC-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 751-07

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTMS5P02R2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.34

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

3.95 A

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

有

端子表面处理

锡铅

附加功能

雪崩 额定

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

33mOhm @ 5.4A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900 pF @ 16 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.033 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

380 pF

达到SVHC

unknown