对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 电阻 | 端子表面处理 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 场效应管特性 | 最大rds | 栅源电压 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTMS5P02R2 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | 8-SOIC | 8 | SILICON | 7.05A (Tj) | NTMS5P | Bulk | MINIATURE, CASE 751-07, SOIC-8 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | onsemi | CASE 751-07 | 30 | 无 | NTMS5P02R2 | RECTANGULAR | Rochester Electronics LLC | 1 | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | 5.34 | SOT | 3.95 A | Obsolete | 1.25V @ 250µA | - | e0 | 有 | 锡铅 | 雪崩 额定 | MOSFET (Metal Oxide) | DUAL | 鸥翼 | 240 | R-PDSO-G8 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | P-Channel | SWITCHING | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V | 1900 pF @ 16 V | 35 nC @ 4.5 V | 20 V | P-CHANNEL | 0.033 Ω | 20 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 380 pF | unknown | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMS5P02R2G | Aptina | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMS5P02R2 | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | SILICON | 3.95A | 1 | 1.25V @ 250μA | Tape & Reel (TR) | e0 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | 锡铅 | 雪崩 额定 | DUAL | 鸥翼 | 240 | 30 | R-PDSO-G8 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | P-Channel | SWITCHING | 33m Ω @ 5.4A, 4.5V | 1.9pF @ 16V | 35nC @ 4.5V | 20V | 3.95A | 0.033Ohm | 20V | 380 pF | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMS5P02R2G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 38 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | SILICON | 1 | 790mW Ta | 2.5V 4.5V | 3.95A Ta | 70 ns | 1.25V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | yes | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 26MOhm | Tin (Sn) | 雪崩 额定 | -20V | DUAL | 鸥翼 | 260 | -5.4A | 40 | Single | 增强型MOSFET | 2.5W | 22 ns | P-Channel | SWITCHING | 33m Ω @ 5.4A, 4.5V | 1900pF @ 16V | 35nC @ 4.5V | 25ns | 20V | ±10V | 55 ns | 5.4A | 10V | 3.95A | -20V | -900 mV | 1.5mm | 5mm | 4mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMS5P02R2SG | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 8-SOIC | 2.5V 4.5V | 790mW Ta | 3.95A Ta | 1.25V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | Obsolete | 1 (Unlimited) | -20V | -7.05A | P-Channel | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V | 1900pF @ 16V | 35nC @ 4.5V | 20V | ±10V | 3.95A | 1.9nF | 33 mΩ | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMS5P02R2SG | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC | 3.95A Ta | 2.5V 4.5V | 790mW Ta | 1.25V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 1 (Unlimited) | P-Channel | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V | 1.9pF @ 16V | 35nC @ 4.5V | 20V | ±10V | Non-RoHS Compliant |
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分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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