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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.160318
10
¥2.981431
100
¥2.812672
500
¥2.653464
1000
¥2.503269
ON Semiconductor NTMSD3P303R2
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NTMSD3P303R2
1807-NTMSD3P303R2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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FETKY™ P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTMSD3P303R2详情
ON Semiconductor NTMSD3P303R2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
NTMSD3
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Package Description
CASE 751-07, SO-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 751-07
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NTMSD3P303R2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.21
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
2.34 A
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
有
端子表面处理
锡铅
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.085 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
135 pF
NTMSD3P303R2拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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