NTMSD3P303R2
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ON Semiconductor NTMSD3P303R2

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型号

NTMSD3P303R2

utmel 编号

1807-NTMSD3P303R2

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FETKY™ P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL

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NTMSD3P303R2
NTMSD3P303R2 ON Semiconductor FETKY™ P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL

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NTMSD3P303R2详情

ON Semiconductor NTMSD3P303R2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    NTMSD3

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    Obsolete

  • Package Description

    CASE 751-07, SO-8

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 751-07

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NTMSD3P303R2

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.21

  • Part Package Code

    SOT

  • Drain Current-Max (ID)

    2.34 A

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.085 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    135 pF

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技术文档: ON Semiconductor NTMSD3P303R2.

NTMSD3P303R2拓展信息

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