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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 电压 - 额定直流 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 极性/通道类型 | 下降时间（典型值） | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 场效应管特性 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMSD3P303R2G | ON Semiconductor | 数据表 | 10000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | SILICON | 1 | 730mW Ta | 45 ns | 2.34A Ta | 4.5V 10V | 2.5V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | FETKY™ | e3 | yes | OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago) | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Tin (Sn) | -30V | DUAL | 鸥翼 | 260 | -3.05A | 40 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2W | P-Channel | SWITCHING | 85m Ω @ 3.05A, 10V | 750pF @ 24V | 25nC @ 10V | 16ns | 30V | ±20V | 45 ns | 2.34A | 20V | -30V | Schottky Diode (Isolated) | 135 pF | unknown | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
| NTMSD3P303R2 | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 8 | SILICON | 1 | e0 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | 锡铅 | DUAL | 鸥翼 | 240 | 30 | R-PDSO-G8 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | P-CHANNEL | 2.34A | 0.085Ohm | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 135 pF | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTMSD3P303R2 | ON Semiconductor | 数据表 | 360000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 8 | 8 | SILICON | NTMSD3 | Obsolete | CASE 751-07, SO-8 | 小概要 | 未说明 | PLASTIC/EPOXY | CASE 751-07 | onsemi | 30 | 无 | NTMSD3P303R2 | RECTANGULAR | Rochester Electronics LLC | 1 | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | 5.21 | SOT | 2.34 A | Bulk | - | e0 | 有 | 锡铅 | DUAL | 鸥翼 | 240 | R-PDSO-G8 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | P-CHANNEL | 0.085 Ω | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 135 pF | unknown |
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