ON Semiconductor NTNS31350PZTCG

工厂交货时间

43 Weeks, 1 Day

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial

表面安装

YES

介电材料

Polypropylene (PP), Metallized

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rating DC

1000V (1kV)

Voltage Rating AC

300V

Package Description

DFN-3

Package Style

小概要

Drain Current-Max (ID)

0.127 A

Risk Rank

5.76

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

安森美半导体

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

NTNS31350PZTCG

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

操作温度

-55°C ~ 105°C

系列

MKP338 6

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.689 L x 0.394 W (17.50mm x 10.00mm)

容差

±20%

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

终端

PC引脚

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

应用

Automotive; EMI, RFI Suppression

电容量

0.047µF

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-N2

引线间距

0.591 (15.00mm)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

5.5 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.125 W

特征

--

座位高度(最大)

0.650 (16.50mm)

评级结果

AEC-Q200, Y2