ON Semiconductor NTNS3A65PZT5G
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NTNS3A65PZT5G
1807-NTNS3A65PZT5G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-101, SOT-883
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MOSFET PFET SOT883 20V 235MA
--最小包装量--
NTNS3A65PZT5G详情
ON Semiconductor NTNS3A65PZT5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-101, SOT-883
表面安装
YES
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
281mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
155mW Ta
Turn Off Delay Time
178 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
引脚数量
3
元素配置
Single
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.3 Ω @ 200mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
44pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.1nC @ 4.5V
上升时间
32ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
84 ns
连续放电电流(ID)
281mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.281A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTNS3A65PZT5G拓展信息
ON Semiconductor
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