ON Semiconductor NTNS3A65PZT5GHW

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

供应商器件包装

SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

281mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

厂商

onsemi

Package

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation (Max)

155mW (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3Ohm @ 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

44 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.1 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±8V

场效应管特性

-