ON Semiconductor NTNS4C69NTCG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

178mW (Ta)

Product Status

Obsolete

Package Description

CHIP CARRIER, R-PBCC-N3

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

506CB

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

NTNS4C69NTCG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.75

Drain Current-Max (ID)

1 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

无铅代码

有

端子表面处理

Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBCC-N3

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

155mOhm @ 300mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 10µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

75 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.9 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±12V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.155 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.178 W

场效应管特性

-