ON Semiconductor NTP125N02R

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

NTP125

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.9A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

1.98W (Ta), 113.6W (Tc)

Product Status

Obsolete

Package Description

CASE 221A-09, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 221A-09

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTP125N02R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.21

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

95 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

有

端子表面处理

锡铅

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3440 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

24 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0062 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

250 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR