ON Semiconductor NTP18N06LG

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

48.4W Tc

Turn Off Delay Time

11 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

60V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

48.4W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 7.5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 5V

上升时间

121ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

42 ns

连续放电电流(ID)

15A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅