ON Semiconductor NTP8N50

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

8 A

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Manufacturer Part Number

NTP8N50

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Part Life Cycle Code

Transferred

Risk Rank

5.76

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.75 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

320 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR