ON Semiconductor NTR0202PLT1

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

400mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

225mW Ta

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-400mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

225mW

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

800m Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

70pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.18nC @ 10V

上升时间

6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

400mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

漏源击穿电压

-20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅