ON Semiconductor NTR0202PLT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

400mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

225mW Ta

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

550MOhm

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-400mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

225mW

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

800m Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

70pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.18nC @ 10V

上升时间

6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

400mA

阈值电压

-1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.4A

漏源击穿电压

-20V

高度

1.01mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅