ON Semiconductor NTR3A30PZT1G
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NTR3A30PZT1G
1807-NTR3A30PZT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
NTR3A30PZT1G详情
ON Semiconductor NTR3A30PZT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
质量
1.437803g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Power Dissipation (Max)
480mW Ta
Turn Off Delay Time
1.043 μs
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
480mW
接通延迟时间
100 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
38m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1651pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.6nC @ 4.5V
上升时间
208ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
552 ns
连续放电电流(ID)
3A
阈值电压
-650mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏源击穿电压
-20V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTR3A30PZT1G拓展信息
ON Semiconductor
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