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'ntr4170n'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	触点镀层	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量	晶体管元件材料																Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	JESD-609代码	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	电阻	端子表面处理	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	通道数量	元素配置	功率耗散	接通延迟时间	场效应管类型	Rds On(Max)@Id,Vgs	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	Vgs（最大值）	极性/通道类型	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	阈值电压	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压
NTR4170NT1G	ON Semiconductor	数据表	14338 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	Tin	表面贴装	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	YES	3	SILICON	1	480mW Ta	15.1 ns	2.5V 10V		1.4V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2006	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	3	EAR99	55MOhm		DUAL	鸥翼					1	Single	增强型MOSFET	480mW	6.4 ns	N-Channel	SWITCHING	55m Ω @ 3.2A, 10V	432pF @ 15V	4.76nC @ 4.5V	9.9ns		±12V	3.5 ns	2.4A	1V	12V	30V		150°C	1 V	1.11mm	3.04mm	1.4mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
NTR4170NT1G	Rochester Electronics LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES		3	SILICON	有	活跃	ROCHESTER ELECTRONICS LLC	SOT-23	LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN	CASE 318-08	3.2 A	未说明	1	PLASTIC/EPOXY	RECTANGULAR	小概要								e3	有			TIN	DUAL	鸥翼	未说明	unknown	未说明	3	R-PDSO-G3	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE			增强型MOSFET			SWITCHING					N-CHANNEL			TO-236AB		0.055 Ω		30 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
NTR4170NT3G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	YES	3	SILICON				480mW Ta	1	2.5V 10V	1.4V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2010	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	3	EAR99		Tin (Sn)	DUAL	鸥翼	未说明	未说明	不合格			Single	增强型MOSFET			N-Channel	SWITCHING	55m Ω @ 3.2A, 10V	432pF @ 15V	4.76nC @ 4.5V		30V	±12V					0.055Ohm									符合RoHS标准	无铅
NTR4170NT1G-VB	VBsemi Elec	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1