ON Semiconductor NTR4171PT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

480mW Ta

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

75MOhm

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

720pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.6nC @ 10V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

-2.2A

阈值电压

-1.15V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-30V

栅源电压

-1.15 V

高度

1.01mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅