ON Semiconductor NTR4501NT3G
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NTR4501NT3G
1807-NTR4501NT3G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
--最小包装量--
NTR4501NT3G详情
ON Semiconductor NTR4501NT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.25W Tj
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
3.2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.25W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 3.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.08Ohm
漏源击穿电压
20V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NTR4501NT3G拓展信息
ON Semiconductor
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