ON Semiconductor NTTD2P02R2

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tray

厂商

Broadcom Limited

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 846A-02

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTTD2P02R2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.92

Drain Current-Max (ID)

2.4 A

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.4 A

漏极-源极导通最大电阻

0.09 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.78 W