ON Semiconductor NTTFS4800NTWG

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Ta 32A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

860mW Ta 33.8W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

S-XDSO-F5

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

964pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.6nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

8.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.027Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

57A

雪崩能量等级（Eas）

36.6 mJ

高度

800μm

长度

3.15mm

宽度

3.15mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅