ON Semiconductor NTTFS4821NTAG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A Ta 57A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

660mW Ta 38.5W Tc

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

4.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1755pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 11.5V

上升时间

22ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.5 ns

连续放电电流(ID)

18.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

57A

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

55 mJ

高度

750μm

长度

3.15mm

宽度

3.15mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅