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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.813409
10
¥6.427744
100
¥6.063909
500
¥5.720673
1000
¥5.396862
ON Semiconductor NTTFS4939NTAG
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- 对比
NTTFS4939NTAG
1807-NTTFS4939NTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTTFS4939NTAG详情
ON Semiconductor NTTFS4939NTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
表面安装
YES
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.9A Ta 52A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
850mW Ta 29.8W Tc
Turn Off Delay Time
20.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
引脚数量
8
JESD-30代码
S-XDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.21W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12.2 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1979pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 10V
上升时间
20.6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.9 ns
连续放电电流(ID)
14.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
52A
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTTFS4939NTAG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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